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专利号	2013100224027	专利名称	氧化锆电阻存储器薄膜制备方法及其阻变特性的测试方法
专利类型	发明专利	国际分类	H01L45/00;G01R31/00;G01R27/08
申请人	西安理工大学	申请地址	陕西省西安市金花南路5号
发明人	李颖;赵高扬;金龙	申请日期	2013-01-21
下证状态	已下证	更新时间	2022-09-19 11:28:54
专利摘要	本发明公开了一种氧化锆电阻存储器薄膜制备方法，首先以氧化锆溶胶为前驱液，以铝酸镧单晶基片的钇钡铜氧超导薄膜为基板提拉氧化锆薄膜，然后采用浸渍提拉法在超导电极上制得氧化锆凝胶薄膜，再将其进行退火处理后自然冷却，最后对其进行顶电极的溅射，即得到氧化锆电阻存储器薄膜；本发明还公开了采用上述制备方法制备的氧化锆电阻存储器薄膜阻变特性的测试方法，将氧化锆电阻存储器薄膜采用四根引线法进行连接，用金属铟将引线与测试点进行连接，然后将其固定在样品台上后放入材料综合物性测量仪中进行伏安特性曲线测试。本发明氧化锆电阻存储器薄膜制备方法工艺简单、设备低廉、成本低，其阻变特性的测试方式环保、成本低，操作简单。

买卖双方需提供			平台提供	转让后买方可获得
	企业	个人	专利代理委托书专利权转让协议办理文件副本请求书发明人变更声明	专利证书手续合格通知书专利登记簿副本
买方	企业营业执照企业组织机构代码证	身份证
卖方	企业营业执照专利证书原件	身份证专利证书原件