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一种氰根离子传感器分子及其制备和在检测氰根离子的应用

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专利号 2016101990296 专利名称 一种氰根离子传感器分子及其制备和在检测氰根离子的应用
专利类型 发明专利 国际分类 C07C251/86;G01N21/64;C09K11/06;C07C249/16;G01N21/77;G01N21/78
申请人 西北师范大学 申请地址 甘肃省兰州市安宁区安宁东路967号
发明人 魏太保;程晓斌;李辉;林奇;姚虹;张有明 申请日期 2016-04-01
下证状态 更新时间 2022-09-19 11:23:46
专利摘要 本发明公开了一种以N,N-二乙基水杨醛为荧光信号基团、酰腙为识别位点的氰根离子荧光传感器,该传感器是由2-羟基-3-萘甲酸通过酯化、肼解后与N,N-二乙基水杨醛反应得到。通过比色法、荧光光谱法研究了其对F-、Cl-、Br-、I-、AcO-、H2PO4-、HSO4-、ClO4-、CN-、SCN-十种阴离子的识别效果,表明该传感器分子在含水体系中能够单一选择性识别氰根离子,而且对CN-的检测具有很高的灵敏度,并且这一识别过程不受其它阴离子的干扰。本发明还制备了基于该传感器分子的CN-检测试纸,可方便快捷的含水中介质中的CN-。另外,本发明设计合成的传感器分子FC的结构简单,合成方法简便,成本低,在CN的检测中具有很好的应用前景。

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