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一种酰腙类氰根离子传感器分子及其合成及在含水体系中检测氰根离子的应用

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专利号 2016101990281 专利名称 一种酰腙类氰根离子传感器分子及其合成及在含水体系中检测氰根离子的应用
专利类型 发明专利 国际分类 G01N21/78;C09K11/06;G01N21/64;C07C251/86;C07C249/16
申请人 西北师范大学 申请地址 甘肃省兰州市安宁区安宁东路967号
发明人 魏太保;程晓斌;李辉;林奇;姚虹;张有明 申请日期 2016-04-01
下证状态 更新时间 2022-09-19 11:23:46
专利摘要 本发明计合成了一种酰腙类氰根离子传感器分子,是以2?羟基?3?萘甲酸,通过酯化、肼解,再与2?羟基?1?萘甲醛反应而得。通过比色法、荧光光谱法研究了其对F?、Cl?、Br?、I?、AcO?、H2PO4?、HSO4?、ClO4?、CN?、SCN?十种阴离子的识别效果,表明该传感器分子在含水体系中能够单一选择性识别氰根离子,而且对CN?的检测具有很高的灵敏度,并且这一识别过程不受其它阴离子的干扰。另外,本发明还制备了基于该传感器分子的CN?检测试纸,可方便快捷的含水中介质中的CN?。另外,本发明设计合成的传感器分子HY的结构简单,合成方法简便,成本低,在CN?的检测中具有很好的应用前景。

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