发明专利
专利类型已下证
专利状态2013101806932
专利号专利号 | 2013101806932 | 专利名称 | 基于SOI的狭缝光波导光栅FP腔光学生化传感芯片 |
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专利类型 | 发明专利 | 国际分类 | G01N21/45 |
申请人 | 四川弘毅智慧知识产权运营有限公司 | 申请地址 | 四川省成都市成都高新区高朋大道5号1栋110室 |
发明人 | 王卓然;袁国慧;高亮 | 申请日期 | 2013-05-16 |
下证状态 | 已下证 | 更新时间 | 2022-09-19 11:23:20 |
专利摘要 | 本发明的一种基于SOI的狭缝光波导光栅FP腔光学生化传感芯片,包括自下而上依次层叠键合的硅基层、二氧化硅层和单晶硅层构成的基体,其特征在于,所述基体的单晶硅层包含狭缝光波导,所述狭缝光波导的光信号传播路径上包含光栅FP腔。本发明的光学生化传感芯片通过在顶部的单晶硅层形成光栅FP腔检测外界物质对光信号的影响,同时引入狭缝光波导结构,使光信号的检测从传统的倏逝场转向狭缝空间,其优势在于狭缝空间中的光能量密度远大于倏逝场中光能量的密度,光与物质相互作用更强,使检测灵敏度更高,检测难度进一步降低。 |
买卖双方需提供 | 平台提供 | 转让后买方可获得 | ||
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企业 | 个人 | 专利代理委托书 专利权转让协议 办理文件副本请求书 发明人变更声明 | 专利证书 手续合格通知书 专利登记簿副本 | |
买方 | 企业营业执照 企业组织机构代码证 | 身份证 | ||
卖方 | 企业营业执照 专利证书原件 | 身份证 专利证书原件 |
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询价专利状态:未知
专利类型:实用新型
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