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基于SOI的狭缝光波导光栅FP腔光学生化传感芯片

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专利号 2013101806932 专利名称 基于SOI的狭缝光波导光栅FP腔光学生化传感芯片
专利类型 发明专利 国际分类 G01N21/45
申请人 四川弘毅智慧知识产权运营有限公司 申请地址 四川省成都市成都高新区高朋大道5号1栋110室
发明人 王卓然;袁国慧;高亮 申请日期 2013-05-16
下证状态 已下证 更新时间 2022-09-19 11:23:20
专利摘要 本发明的一种基于SOI的狭缝光波导光栅FP腔光学生化传感芯片,包括自下而上依次层叠键合的硅基层、二氧化硅层和单晶硅层构成的基体,其特征在于,所述基体的单晶硅层包含狭缝光波导,所述狭缝光波导的光信号传播路径上包含光栅FP腔。本发明的光学生化传感芯片通过在顶部的单晶硅层形成光栅FP腔检测外界物质对光信号的影响,同时引入狭缝光波导结构,使光信号的检测从传统的倏逝场转向狭缝空间,其优势在于狭缝空间中的光能量密度远大于倏逝场中光能量的密度,光与物质相互作用更强,使检测灵敏度更高,检测难度进一步降低。

交易流程

转让材料

买卖双方需提供 平台提供 转让后买方可获得
企业 个人 专利代理委托书
专利权转让协议
办理文件副本请求书
发明人变更声明
专利证书
手续合格通知书
专利登记簿副本
买方 企业营业执照
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卖方 企业营业执照
专利证书原件
身份证
专利证书原件

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