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一种以Y2Si2O7为基体的Si3N4/SiO2/SiC基微波吸收陶瓷的制备方法
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发明专利
专利类型 -
未知
专利状态 -
2022103281478
专利号
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专利信息
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| 专利号 | 2022103281478 | 专利名称 | 一种以Y2Si2O7为基体的Si3N4/SiO2/SiC基微波吸收陶瓷的制备方法 |
|---|---|---|---|
| 专利类型 | 发明专利 | 国际分类 | C04B35/16(2006.01),C04B35/628(2006.01) |
| 申请人 | 申请地址 | 610016 四川省成都市龙泉驿区外东十陵镇 | |
| 发明人 | 申请日期 | 2022-03-30 | |
| 下证状态 | 未知 | 更新时间 | 2025-01-14 07:32:00 |
| 专利摘要 | 本发明涉及一种以Y2Si2O7为基体的Si3N4/SiO2/SiC基微波吸收陶瓷的制备方法，属于微波吸收材料技术领域。本发明将Si（OC2H5）4溶解于乙醇中得到溶液A，Y（NO3）3·6H2O搅拌溶解于去离子水中得到溶液B；室温下，溶液A和溶液B搅拌混合得到凝胶C，凝胶C干燥得到干凝胶，干凝胶研磨成凝胶粉，凝胶粉进行冷压成型后置于温度为1400～1500℃的空气中烧结热处理2～3h，得到Y2Si2O7粉末；Y2Si2O7粉末采用碳化硅化学气相渗透技术沉积，得到SiC‑Y2Si2O7复合陶瓷，SiC‑Y2Si2O7复合陶瓷经温度为1100～1200℃下氧化2～3h，得到SiO2/SiC‑Y2Si2O7复合陶瓷，SiO2/SiC‑Y2Si2O7复合陶瓷经氮化硅化学气相渗透技术沉积得到Si3N4/SiO2/SiC‑Y2Si2O7复合陶瓷。本发明复相陶瓷的电磁波吸收性能的可控性调节。 | ||
交易流程
转让材料
| 买卖双方需提供 | 平台提供 | 转让后买方可获得 | ||
|---|---|---|---|---|
| 企业 | 个人 | 专利代理委托书 专利权转让协议 办理文件副本请求书 发明人变更声明 | 专利证书 手续合格通知书 专利登记簿副本 | |
| 买方 | 企业营业执照 企业组织机构代码证 | 身份证 | ||
| 卖方 | 企业营业执照 专利证书原件 | 身份证 专利证书原件 | ||
服务保障
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