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专利号	201910939228X	专利名称	一种提高剥离Si基和SOI基Ge薄膜质量的方法
专利类型	发明专利	国际分类	H01L21/78(2006.01),H01L21/3065(2006.01)
申请人	闽南师范大学,厦门大学	申请地址	福建省漳州市芗城区县前直街36号
发明人	柯少颖	申请日期	2019-09-30
下证状态	未知	更新时间	2025-01-14 07:02:49
专利摘要	本发明公开了一种提高Si基和SOI基剥离Ge薄膜质量的方法。该方法为将Si片、SOI片和Ge片经表面处理后，在Si片、SOI片上溅射a‑Ge薄膜，然后将Ge片分别与溅射有a‑Ge薄膜的Si片和SOI片贴合在一起；经低温短时间热压键合和分步骤短时间退火，实现Si基、SOI基Ge薄膜的剥离；将剥离后的Ge/Si和Ge/SOI样品采用手动化学机械抛光对Ge薄膜的剥离表面进行抛光；抛光后的Ge/Si和Ge/SOI样品采用小功率RIE刻蚀技术对Ge薄膜表面的离子注入损伤层进行刻蚀，以获得高质量的Si基和SOI基剥离Ge薄膜。

买卖双方需提供			平台提供	转让后买方可获得
	企业	个人	专利代理委托书专利权转让协议办理文件副本请求书发明人变更声明	专利证书手续合格通知书专利登记簿副本
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