发明专利
专利类型未知
专利状态2019109429513
专利号专利号 | 2019109429513 | 专利名称 | 一种无气泡坑超高质量SOI基Ge薄膜异质键合方法 |
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专利类型 | 发明专利 | 国际分类 | H01L21/18(2006.01),H01L21/324(2006.01),H01L21/02(2006.01) |
申请人 | 申请地址 | ||
发明人 | 柯少颖 | 申请日期 | 2019-09-30 |
下证状态 | 未知 | 更新时间 | 2025-01-14 07:02:46 |
专利摘要 | 本发明涉及一种无气泡坑超高质量SOI基剥离Ge薄膜的制备方法。所述制备方法包括基片的清洗、Ge片的离子注入、中间层的制备、Ge薄膜的智能剥离四个阶段的处理方法。本发明利用a‑Ge和a‑Si薄膜作为Ge/SOI键合中间层实现SOI基Ge薄膜的智能剥离,再将SOI基Ge薄膜放置在真空氛围内进行高温热退火,实现Ge/Si键合界面副产物的有效排出和点缺陷的有效修复。 |
买卖双方需提供 | 平台提供 | 转让后买方可获得 | ||
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企业 | 个人 | 专利代理委托书 专利权转让协议 办理文件副本请求书 发明人变更声明 | 专利证书 手续合格通知书 专利登记簿副本 | |
买方 | 企业营业执照 企业组织机构代码证 | 身份证 | ||
卖方 | 企业营业执照 专利证书原件 | 身份证 专利证书原件 |
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