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一种无气泡坑超高质量SOI基Ge薄膜异质键合方法

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专利号 2019109429513 专利名称 一种无气泡坑超高质量SOI基Ge薄膜异质键合方法
专利类型 发明专利 国际分类 H01L21/18(2006.01),H01L21/324(2006.01),H01L21/02(2006.01)
申请人 申请地址
发明人 柯少颖 申请日期 2019-09-30
下证状态 未知 更新时间 2025-01-14 07:02:46
专利摘要 本发明涉及一种无气泡坑超高质量SOI基剥离Ge薄膜的制备方法。所述制备方法包括基片的清洗、Ge片的离子注入、中间层的制备、Ge薄膜的智能剥离四个阶段的处理方法。本发明利用a‑Ge和a‑Si薄膜作为Ge/SOI键合中间层实现SOI基Ge薄膜的智能剥离,再将SOI基Ge薄膜放置在真空氛围内进行高温热退火,实现Ge/Si键合界面副产物的有效排出和点缺陷的有效修复。

交易流程

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卖方 企业营业执照
专利证书原件
身份证
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