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一种耐高温高质量SOI基剥离Ge薄膜的制备方法

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专利号 2019109383204 专利名称 一种耐高温高质量SOI基剥离Ge薄膜的制备方法
专利类型 发明专利 国际分类 H01L21/78(2006.01),H01L21/324(2006.01)
申请人 闽南师范大学,厦门大学 申请地址 福建省漳州市芗城区县前直街36号
发明人 柯少颖 申请日期 2019-09-30
下证状态 未知 更新时间 2025-01-14 07:02:40
专利摘要 本发明公开了一种耐高温高质量SOI基剥离Ge薄膜的制备方法,首先利用多晶Ge薄膜作为Ge/SOI键合中间层实现SOI基Ge薄膜的智能剥离,再将SOI基Ge薄膜放置在N<sub>2</sub>氛围内进行高温热退火,实现Ge薄膜中不均匀应变的释放、点缺陷的修复和无气泡坑Ge表面的获得,是一种简单、低成本且极其有效的高质量SOI基剥离Ge薄膜的制备方法。

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