发明专利
专利类型未知
专利状态2019109401857
专利号专利号 | 2019109401857 | 专利名称 | 一种实现晶格阻断的零气泡Ge/Si异质混合集成方法 |
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专利类型 | 发明专利 | 国际分类 | H01L21/18(2006.01),H01L21/02(2006.01) |
申请人 | 申请地址 | ||
发明人 | 柯少颖 | 申请日期 | 2019-09-30 |
下证状态 | 未知 | 更新时间 | 2025-01-14 07:02:39 |
专利摘要 | 本发明公开了一种可实现晶格阻断的零气泡Ge/Si异质混合集成方法,其具体是通过将非晶结构的Si和Ge双叠层结构引入到Ge/Si键合界面,一方面通过a‑Ge的退火晶化实现无氧化层高强度Ge/Si键合,另一方面利用a‑Si阻断单晶Si和单晶Ge之间的晶格失配,彻底屏蔽失配位错来源,并通过疏松结构的a‑Si实现键合界面副产物的排出和晶格的彻底阻断,以制备无界面气泡、无氧化层、无穿透位错的Ge/Si键合界面。 |
买卖双方需提供 | 平台提供 | 转让后买方可获得 | ||
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企业 | 个人 | 专利代理委托书 专利权转让协议 办理文件副本请求书 发明人变更声明 | 专利证书 手续合格通知书 专利登记簿副本 | |
买方 | 企业营业执照 企业组织机构代码证 | 身份证 | ||
卖方 | 企业营业执照 专利证书原件 | 身份证 专利证书原件 |
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