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一种实现晶格阻断的零气泡Ge/Si异质混合集成方法

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  • 2019109401857

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专利号 2019109401857 专利名称 一种实现晶格阻断的零气泡Ge/Si异质混合集成方法
专利类型 发明专利 国际分类 H01L21/18(2006.01),H01L21/02(2006.01)
申请人 申请地址
发明人 柯少颖 申请日期 2019-09-30
下证状态 未知 更新时间 2025-01-14 07:02:39
专利摘要 本发明公开了一种可实现晶格阻断的零气泡Ge/Si异质混合集成方法,其具体是通过将非晶结构的Si和Ge双叠层结构引入到Ge/Si键合界面,一方面通过a‑Ge的退火晶化实现无氧化层高强度Ge/Si键合,另一方面利用a‑Si阻断单晶Si和单晶Ge之间的晶格失配,彻底屏蔽失配位错来源,并通过疏松结构的a‑Si实现键合界面副产物的排出和晶格的彻底阻断,以制备无界面气泡、无氧化层、无穿透位错的Ge/Si键合界面。

交易流程

转让材料

买卖双方需提供 平台提供 转让后买方可获得
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专利证书
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身份证
卖方 企业营业执照
专利证书原件
身份证
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