发明专利
专利类型未知
专利状态2019109449767
专利号专利号 | 2019109449767 | 专利名称 | 一种无气泡无穿透位错Ge/Si异质混合集成方法 |
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专利类型 | 发明专利 | 国际分类 | H01L21/18(2006.01) |
申请人 | 申请地址 | ||
发明人 | 柯少颖 | 申请日期 | 2019-09-30 |
下证状态 | 未知 | 更新时间 | 2025-01-14 07:02:25 |
专利摘要 | 本发明涉及一种无气泡无穿透位错Ge/Si低温键合方法,所述方法包括Si和Ge基底材料的处理、Ge薄膜的晶化、抛光、Ge/Si键合。本发明利用多晶Ge的疏松结构和存在晶界的特点对Ge/Si键合界面的气泡进行吸收和转移,实现零气泡的Ge/Si键合界面。其次利用多晶Ge晶向混乱的性质将Ge和Si单晶体隔离开来,使得Ge和Si之间的晶格失配得到缓解,因此能有效的限制穿透位错的成核,实现穿透位错密度的进一步降低。 |
买卖双方需提供 | 平台提供 | 转让后买方可获得 | ||
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企业 | 个人 | 专利代理委托书 专利权转让协议 办理文件副本请求书 发明人变更声明 | 专利证书 手续合格通知书 专利登记簿副本 | |
买方 | 企业营业执照 企业组织机构代码证 | 身份证 | ||
卖方 | 企业营业执照 专利证书原件 | 身份证 专利证书原件 |
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