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一种无气泡无穿透位错Ge/Si异质混合集成方法

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  • 2019109449767

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专利号 2019109449767 专利名称 一种无气泡无穿透位错Ge/Si异质混合集成方法
专利类型 发明专利 国际分类 H01L21/18(2006.01)
申请人 申请地址
发明人 柯少颖 申请日期 2019-09-30
下证状态 未知 更新时间 2025-01-14 07:02:25
专利摘要 本发明涉及一种无气泡无穿透位错Ge/Si低温键合方法,所述方法包括Si和Ge基底材料的处理、Ge薄膜的晶化、抛光、Ge/Si键合。本发明利用多晶Ge的疏松结构和存在晶界的特点对Ge/Si键合界面的气泡进行吸收和转移,实现零气泡的Ge/Si键合界面。其次利用多晶Ge晶向混乱的性质将Ge和Si单晶体隔离开来,使得Ge和Si之间的晶格失配得到缓解,因此能有效的限制穿透位错的成核,实现穿透位错密度的进一步降低。

交易流程

转让材料

买卖双方需提供 平台提供 转让后买方可获得
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专利证书
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卖方 企业营业执照
专利证书原件
身份证
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