发明专利
专利类型未知
专利状态2016110267855
专利号专利号 | 2016110267855 | 专利名称 | 一种纳米硅阵列负极材料的制备方法及其应用 |
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专利类型 | 发明专利 | 国际分类 | |
申请人 | 苏州大学 | 申请地址 | 江苏省苏州市工业园区仁爱路199号 |
发明人 | 王海波;赵建庆;余雁 | 申请日期 | 2016-11-17 |
下证状态 | 未知 | 更新时间 | 2023-04-18 08:27:13 |
专利摘要 | 本发明公开了一种纳米硅阵列负极材料的制备方法及其应用,包括下列步骤:先将硅酸盐溶于溶剂中,搅拌制得溶液,向溶液中加入水解抑制剂,在反应容器中水解;其次,在水解的溶液中加入基体材料,基体材料加入前进行前处理;然后在密封反应容器中进行溶剂热反应,反应保温后,将反应器冷却至室温,取出材料洗涤、干燥,获得二氧化硅纳米阵列;最后,通过金属催化还原制得用于锂离子电池的纳米硅阵列负极材料。本发明的方法操作方便,制备过程易于实施,获得的负极材料可逆容量高,循环性能好,是一种很有应用前景的锂离子电池负极材料。 |
买卖双方需提供 | 平台提供 | 转让后买方可获得 | ||
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企业 | 个人 | 专利代理委托书 专利权转让协议 办理文件副本请求书 发明人变更声明 | 专利证书 手续合格通知书 专利登记簿副本 | |
买方 | 企业营业执照 企业组织机构代码证 | 身份证 | ||
卖方 | 企业营业执照 专利证书原件 | 身份证 专利证书原件 |
专利状态:已下证
专利类型:发明专利
询价专利状态:未知
专利类型:实用新型
询价专利状态:未下证
专利类型:发明专利
询价专利状态:未知
专利类型:外观专利
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