发明专利
专利类型未知
专利状态2016106351759
专利号专利号 | 2016106351759 | 专利名称 | 一种双层钙钛矿发光二极管及其制备方法 |
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专利类型 | 发明专利 | 国际分类 | H01L51/52;H01L51/50;H01L51/56 |
申请人 | 苏州大学 | 申请地址 | 江苏省苏州市工业园区仁爱路199号 |
发明人 | 鲍桥梁;卡西木;李绍娟;李鹏飞 | 申请日期 | 2016-08-05 |
下证状态 | 未知 | 更新时间 | 2023-04-18 08:24:55 |
专利摘要 | 本发明涉及一种双层钙钛矿发光二极管及其制备方法,双层钙钛矿发光二极管自下而上分别包括:ITO导电玻璃作为阳极,旋涂一层20nm左右的聚3,4‑乙烯二氧噻吩‑聚苯乙烯磺酸(PEDOT:PSS)作为空穴传输层;采用2次旋涂法制备双层钙钛矿发光层,采用的钙钛矿发光层可以是具有不同卤素配比的钙钛矿;在钙钛矿层上旋涂一层大约50nm厚的掺杂钙的氧化锌(Ca:ZnO)作为电子传输层;最后蒸镀金属钙和铝作为阴极。本发明一方面通过调控Ca:ZnO中Ca的浓度,得到一个最优的带隙,降低电子传输层与钙钛矿之间的势垒,从而降低发光二极管的开启电压,同时提高发光二极管的发光效率和内量子效率;另一方面,通过调节钙钛矿中的卤素配比,可以实现不同颜色发光。 |
买卖双方需提供 | 平台提供 | 转让后买方可获得 | ||
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企业 | 个人 | 专利代理委托书 专利权转让协议 办理文件副本请求书 发明人变更声明 | 专利证书 手续合格通知书 专利登记簿副本 | |
买方 | 企业营业执照 企业组织机构代码证 | 身份证 | ||
卖方 | 企业营业执照 专利证书原件 | 身份证 专利证书原件 |
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