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双金属硫族三元半导体纳米颗粒及其制备方法

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专利号 2016105759972 专利名称 双金属硫族三元半导体纳米颗粒及其制备方法
专利类型 发明专利 国际分类 A61K41/00;B82Y30/00;A61K49/22;C01B19/00;A61K49/08
申请人 苏州大学 申请地址 江苏省苏州市工业园区仁爱路199号
发明人 李桢;姜欣欣 申请日期 2016-07-21
下证状态 未知 更新时间 2023-04-18 08:24:28
专利摘要 本发明提供一种双金属硫族三元半导体纳米颗粒和生物相容性的双金属硫族三元半导体纳米颗粒以及其制备方法,所述双金属硫族三元半导体的通式为AxByCZ,其中A是IB族金属元素,如Cu,Ag,0<x≤3;B是含有3d电子层的过渡金属元素、ⅢA‑ⅣA族金属元素和镧系元素中的一种,如Mn,Fe,Ni,Ga,In,Ag,Sn,Gd,0<y≤2;C是ⅥA族非金属元素,如S,Se,Te,1≤z≤2。制备方法操作简单,易于推广,产率高,该双金属硫族三元半导体纳米颗粒经过具有生物相容性的高分子材料修饰后可用于光声成像、核磁共振成像及光热治疗等生物医学方面。

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