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一种硅光阴极及其制备方法
院校-
发明专利
专利类型 -
未知
专利状态 -
2016105990524
专利号
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专利信息
数据仅供参考，具体信息可联系在线顾问
| 专利号 | 2016105990524 | 专利名称 | 一种硅光阴极及其制备方法 |
|---|---|---|---|
| 专利类型 | 发明专利 | 国际分类 | |
| 申请人 | 苏州大学 | 申请地址 | 江苏省苏州市工业园区仁爱路199号 |
| 发明人 | 沈明荣;范荣磊;辛煜;唐成双 | 申请日期 | 2016-07-27 |
| 下证状态 | 未知 | 更新时间 | 2023-04-18 08:24:23 |
| 专利摘要 | 本发明提供了一种硅光阴极及其制备方法，该制备方法包括：S1)在硅电极与光阳极相对的表面上进行析氢催化剂修饰，得到修饰后的硅电极；S2)在步骤S1)得到的修饰后的硅电极不含析氢催化剂层的表面上制备钝化保护层，得到硅光阴极。与现有技术相比，本发明使析氢催化剂直接与硅表面接触，能形成较好的欧姆接触，可以减少电极的串联电阻，使其具有较好的电化学性能，提高了光阴极的填充因子以及光解水效率。 | ||
交易流程
转让材料
| 买卖双方需提供 | 平台提供 | 转让后买方可获得 | ||
|---|---|---|---|---|
| 企业 | 个人 | 专利代理委托书 专利权转让协议 办理文件副本请求书 发明人变更声明 | 专利证书 手续合格通知书 专利登记簿副本 | |
| 买方 | 企业营业执照 企业组织机构代码证 | 身份证 | ||
| 卖方 | 企业营业执照 专利证书原件 | 身份证 专利证书原件 | ||
服务保障
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