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真空烧结制备碳化硅纳米线的方法

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专利号 2016106081571 专利名称 真空烧结制备碳化硅纳米线的方法
专利类型 发明专利 国际分类 B82Y40/00;C01B31/36
申请人 苏州大学 申请地址 江苏省苏州市张家港市长泾路10号
发明人 詹耀辉;胡增荣;徐家乐;郭华锋 申请日期 2016-07-29
下证状态 未知 更新时间 2023-04-18 08:24:17
专利摘要 本发明公开了一种真空烧结制备碳化硅纳米线的方法,包括以下步骤:步骤(1):先将Si和SiO2混合,得到硅类混合物,然后将硅类混合物与石墨烯混合,得到混合原料;步骤(2):将混合原料放入到高温真空烧结炉中,先将高温真空烧结炉内部抽真空,然后对高温真空烧结炉中充入氩气,再将高温真空烧结炉内部抽真空,将抽真空、充氩气、再抽真空这个过程重复至少1次;步骤(3):对高温真空烧结炉中真空状态下的混合原料进行烧结,先在2.5小时内从室温加热至1400‑1500度,然后保温2小时,最后在2.5小时内降温至室温,得到真空烧结制备的碳化硅纳米线。该方法制备效率高,制备出的碳化硅纳米线的线形较好。

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