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采用螺旋波等离子体技术制备纳米晶金刚石薄膜的方法

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专利号 2016103286334 专利名称 采用螺旋波等离子体技术制备纳米晶金刚石薄膜的方法
专利类型 发明专利 国际分类 C23C16/505;C23C16/27
申请人 苏州大学 申请地址 江苏省苏州市工业园区仁爱路199号
发明人 吴雪梅;於俊;金成刚;黄天源;季佩宇;杨佳奇;诸葛兰剑 申请日期 2016-05-18
下证状态 未知 更新时间 2023-04-18 08:23:13
专利摘要 本发明涉及一种采用螺旋波等离子体技术制备纳米晶金刚石薄膜的方法,包括如下步骤:(1)将Ar气和H2气通入到放电腔室内,在轴向磁场的环境下,通过射频调制的螺旋波等离子体实现Ar和H2混合气体放电,清洗基片台和Si衬底;(2)关闭H2气,通入Ar气和CH4气体,在轴向磁场的环境下,通过射频调制的螺旋波等离子体在Si衬底上形成纳米晶金刚石薄膜;(3)清洗纳米晶金刚石薄膜表面吸附的CH4气体。本发明通过螺旋波等离子体技术成功地制备了纳米晶金刚石薄膜,所用设备更加简单,工业生产上更容易实现,沉积速率更快,不存在灯丝性能衰减的问题,而且工艺步骤更简单,工艺参数更易控制。

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