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一种硅微米线阵列的制备工艺

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专利号 2016101835587 专利名称 一种硅微米线阵列的制备工艺
专利类型 发明专利 国际分类 B82Y30/00;B82Y40/00;H01L21/027;H01L21/306
申请人 苏州大学 申请地址 江苏省苏州市工业园区仁爱路199号
发明人 吴绍龙;严继木;李孝峰;翟雄飞;高翔 申请日期 2016-03-29
下证状态 未知 更新时间 2023-04-18 08:21:01
专利摘要 本发明公开了一种硅微米线阵列的制备工艺,所述工艺包括以下步骤:(1)在清洗干净的所述硅片表面旋涂抗氢氟酸刻蚀的光刻胶;(2)利用紫外曝光技术对步骤(1)所得硅片进行曝光处理;(3)对步骤(2)所得硅片进行显影处理;(4)以步骤(3)所得硅片为基底,利用物理沉积方法先后沉积Ti和Au薄膜;(5)将步骤(4)所得硅片将浸入丙酮溶液,轻微晃动1‑3分钟;不完全去除光刻胶,只是将光刻胶体积减小,保证硅基底表面有一部分裸露出来;(6)将步骤(5)所得硅片浸入HF与H2O2混合水溶液中,在3‑15℃的低温环境中密闭处理6‑24小时;(7)将步骤(6)所得硅片进行完全去光刻胶与去金属处理。本发明可以得到大间距、大长径比的硅微米线阵列,解决了现有技术中的问题。

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