发明专利
专利类型未知
专利状态2016101835587
专利号专利号 | 2016101835587 | 专利名称 | 一种硅微米线阵列的制备工艺 |
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专利类型 | 发明专利 | 国际分类 | B82Y30/00;B82Y40/00;H01L21/027;H01L21/306 |
申请人 | 苏州大学 | 申请地址 | 江苏省苏州市工业园区仁爱路199号 |
发明人 | 吴绍龙;严继木;李孝峰;翟雄飞;高翔 | 申请日期 | 2016-03-29 |
下证状态 | 未知 | 更新时间 | 2023-04-18 08:21:01 |
专利摘要 | 本发明公开了一种硅微米线阵列的制备工艺,所述工艺包括以下步骤:(1)在清洗干净的所述硅片表面旋涂抗氢氟酸刻蚀的光刻胶;(2)利用紫外曝光技术对步骤(1)所得硅片进行曝光处理;(3)对步骤(2)所得硅片进行显影处理;(4)以步骤(3)所得硅片为基底,利用物理沉积方法先后沉积Ti和Au薄膜;(5)将步骤(4)所得硅片将浸入丙酮溶液,轻微晃动1‑3分钟;不完全去除光刻胶,只是将光刻胶体积减小,保证硅基底表面有一部分裸露出来;(6)将步骤(5)所得硅片浸入HF与H2O2混合水溶液中,在3‑15℃的低温环境中密闭处理6‑24小时;(7)将步骤(6)所得硅片进行完全去光刻胶与去金属处理。本发明可以得到大间距、大长径比的硅微米线阵列,解决了现有技术中的问题。 |
买卖双方需提供 | 平台提供 | 转让后买方可获得 | ||
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企业 | 个人 | 专利代理委托书 专利权转让协议 办理文件副本请求书 发明人变更声明 | 专利证书 手续合格通知书 专利登记簿副本 | |
买方 | 企业营业执照 企业组织机构代码证 | 身份证 | ||
卖方 | 企业营业执照 专利证书原件 | 身份证 专利证书原件 |
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