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专利号	2015109195334	专利名称	3D分枝状半导体纳米异质结光电极材料及其制备方法
专利类型	发明专利	国际分类	C25B11/04;C25B1/04;B82Y30/00;C25B11/02;B82Y40/00
申请人	苏州大学	申请地址	江苏省苏州市相城区济学路8号
发明人	李亮;田维;武芳丽	申请日期	2015-12-11
下证状态	未知	更新时间	2023-04-18 08:19:19
专利摘要	本发明公开了一种3D分枝状半导体纳米异质结光电极材料及其制备方法，该异质结光电极材料由氧化铜(CuO)与氧化锌(ZnO)复合而成，该异质结光电极材料呈三维立体分枝状结构，该制备方法为在氧化铜纳米棒上合成氧化锌分枝状纳米棒，形成一个树枝状纳米结构，制备出3D分枝状半导体纳米异质结光阴极，这种电极，可以有效增加对太阳光的吸收，加速电子空穴对的有效分离，从而减少它们的复合并促进电荷的传输，优化传统单一半导体电极光电化转换效率，提高光解水效率，此外，所用材料具有环境友好，价格低廉的优点，具有很好的应用前景。

买卖双方需提供			平台提供	转让后买方可获得
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