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一种自掺杂局域表面等离子体共振Cu<base:Sub>3‑x</base:Sub>P纳米晶及其制备方法

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专利号 2015100235478 专利名称 一种自掺杂局域表面等离子体共振Cu<base:Sub>3‑x</base:Sub>P纳米晶及其制备方法
专利类型 发明专利 国际分类 C30B29/10;C30B7/14;B82Y40/00
申请人 苏州大学 申请地址 江苏省苏州市苏州工业园区仁爱路199号
发明人 马万里;刘泽柯 申请日期 2015-01-16
下证状态 未知 更新时间 2023-04-18 08:14:11
专利摘要 本发明公开了一种自掺杂局域表面等离子体共振Cu3‑xP纳米晶及其制备方法。具体而言,本发明的方法包括铜前驱体的制备、Cu3‑xP纳米晶的合成以及高温加热后处理三个步骤,通过调控反应条件可以获得尺寸大小为5.3~44.2nm,局域表面等离子体共振吸收峰在1390~1710nm范围内可调的Cu3‑xP纳米晶材料,正好覆盖光通信的C波段(1530~1565nm)和L波段(1565~1625nm),而且共振吸收的强度也可以通过高温加热进行调控,这使得此材料在光通信和脉冲激光器方面有着巨大的应用前景。

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