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使用冶金级硅制备多孔硅纳米线的方法

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专利号 201410767151X 专利名称 使用冶金级硅制备多孔硅纳米线的方法
专利类型 发明专利 国际分类 B82Y40/00;C01B33/021;B82Y30/00
申请人 苏州大学 申请地址 江苏省苏州市相城区济学路8号
发明人 晏成林;刘杰;钱涛 申请日期 2014-12-12
下证状态 未知 更新时间 2023-04-18 08:13:22
专利摘要 本发明涉及一种使用冶金级硅制备多孔硅纳米线的方法,它包括以下步骤:(a)将冶金级硅浸入不同有机溶液中,分别超声处理15~30分钟;(b)将超声处理后的冶金级硅浸入氧化溶液中,在50~90℃条件下反应0.5~5小时得氧化冶金级硅;(c)置于质量浓度为10~30%氢氟酸溶液;(d)真空溅射30~60秒得到银沉积冶金级硅;(e)将所述银沉积冶金级硅浸入氢氟酸与强氧化物的混合溶液中,在40~80℃条件下超声1~5小时后取出放入管式炉中通含氟气体2~3小时并进行干燥;(f)表面进行剥离得到多孔硅纳米线。一方面离子溅射仪沉积的银纳米粒子颗粒均匀,有利于在硅纳米线上形成孔径均匀的多孔结构;另一方面缩短时间、提高效率;而且该发明简单易行,适于大规模生产。

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身份证
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