发明专利
专利类型未知
专利状态201410767151X
专利号专利号 | 201410767151X | 专利名称 | 使用冶金级硅制备多孔硅纳米线的方法 |
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专利类型 | 发明专利 | 国际分类 | B82Y40/00;C01B33/021;B82Y30/00 |
申请人 | 苏州大学 | 申请地址 | 江苏省苏州市相城区济学路8号 |
发明人 | 晏成林;刘杰;钱涛 | 申请日期 | 2014-12-12 |
下证状态 | 未知 | 更新时间 | 2023-04-18 08:13:22 |
专利摘要 | 本发明涉及一种使用冶金级硅制备多孔硅纳米线的方法,它包括以下步骤:(a)将冶金级硅浸入不同有机溶液中,分别超声处理15~30分钟;(b)将超声处理后的冶金级硅浸入氧化溶液中,在50~90℃条件下反应0.5~5小时得氧化冶金级硅;(c)置于质量浓度为10~30%氢氟酸溶液;(d)真空溅射30~60秒得到银沉积冶金级硅;(e)将所述银沉积冶金级硅浸入氢氟酸与强氧化物的混合溶液中,在40~80℃条件下超声1~5小时后取出放入管式炉中通含氟气体2~3小时并进行干燥;(f)表面进行剥离得到多孔硅纳米线。一方面离子溅射仪沉积的银纳米粒子颗粒均匀,有利于在硅纳米线上形成孔径均匀的多孔结构;另一方面缩短时间、提高效率;而且该发明简单易行,适于大规模生产。 |
买卖双方需提供 | 平台提供 | 转让后买方可获得 | ||
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企业 | 个人 | 专利代理委托书 专利权转让协议 办理文件副本请求书 发明人变更声明 | 专利证书 手续合格通知书 专利登记簿副本 | |
买方 | 企业营业执照 企业组织机构代码证 | 身份证 | ||
卖方 | 企业营业执照 专利证书原件 | 身份证 专利证书原件 |
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