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专利号	2013105161170	专利名称	碳纳米管阵列的电镀修饰方法
专利类型	发明专利	国际分类	C25D7/04;B82Y40/00;C25D5/54
申请人	苏州大学	申请地址	江苏省苏州市工业园区仁爱路199号
发明人	王蓬勃;杨湛;汝长海;陈涛;刘吉柱;潘明强;黄海波;孙立宁	申请日期	2013-10-25
下证状态	未知	更新时间	2023-04-18 08:09:55
专利摘要	本发明公开了一种碳纳米管阵列的电镀修饰方法，其包括如下步骤，提供碳纳米管阵列，将其置于真空腔内，密闭真空腔，对真空腔进行抽气以降低真空腔内的压力，再向真空腔内注入去离子水，使碳纳米管阵列完全浸入去离子水中；继续抽气，当碳纳米管阵列的表面停止析出气泡时，停止抽气；向真空腔内注入空气，使内外压力平衡，然后将碳纳米管阵列取出；经过真空预处理的碳纳米管阵列置于电镀液中浸泡后进行电镀。本发明的碳纳米管阵列的电镀修饰方法采用了真空预处理工艺，使电镀液能够进入碳纳米管的内部，从而使碳纳米管的底部到顶部都均匀沉积一层金属纳米粒子，如此充分发挥了碳纳米管阵列的三维优势，大大提高了碳纳米管阵列的性能。

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