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一种全息－离子束刻蚀制备光栅的方法
院校-
发明专利
专利类型 -
未知
专利状态 -
2008100231212
专利号
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专利信息
数据仅供参考，具体信息可联系在线顾问
| 专利号 | 2008100231212 | 专利名称 | 一种全息－离子束刻蚀制备光栅的方法 |
|---|---|---|---|
| 专利类型 | 发明专利 | 国际分类 | G02B5/18;G03F7/00 |
| 申请人 | 苏州大学 | 申请地址 | 江苏省苏州市苏州工业园区仁爱路199号 |
| 发明人 | 刘全;吴建宏;杨卫鹏 | 申请日期 | 2008-07-14 |
| 下证状态 | 未知 | 更新时间 | 2023-04-18 08:06:40 |
| 专利摘要 | 本发明公开了一种全息－离子束刻蚀制备光栅的方法，首先进行全息光刻，获得光刻胶光栅掩模，然后进行离子束刻蚀，最后去除残余的光刻胶，获得所需的光栅，其特征在于：所述离子束刻蚀为，先用氩离子束进行刻蚀1至3分钟，再用三氟甲烷反应离子束刻蚀至所需槽形深度。本发明在离子束刻蚀中，采用了两步法，首先进行氩离子束刻蚀，对光刻胶光栅掩模进行形貌修正，再采用三氟甲烷进行刻蚀，从而可以获得较小占宽比的光栅；通过对氩离子束刻蚀的时间控制，实现对光栅占宽比的控制，方法简便、易于实现，是控制刻蚀光栅占宽比的有效方法。 | ||
交易流程
转让材料
| 买卖双方需提供 | 平台提供 | 转让后买方可获得 | ||
|---|---|---|---|---|
| 企业 | 个人 | 专利代理委托书 专利权转让协议 办理文件副本请求书 发明人变更声明 | 专利证书 手续合格通知书 专利登记簿副本 | |
| 买方 | 企业营业执照 企业组织机构代码证 | 身份证 | ||
| 卖方 | 企业营业执照 专利证书原件 | 身份证 专利证书原件 | ||
服务保障
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