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一种制作近红外波段三维光子晶体的方法

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专利号 2008101567714 专利名称 一种制作近红外波段三维光子晶体的方法
专利类型 发明专利 国际分类 G02B6/122;G03F7/36;G03F7/42;G03F7/00
申请人 苏州大学 申请地址 江苏省苏州市苏州工业园区仁爱路199号
发明人 刘全;吴建宏;辛煜;陈新荣;李朝明;胡祖元 申请日期 2008-09-26
下证状态 未知 更新时间 2023-04-18 08:06:35
专利摘要 本发明公开了一种制作近红外波段三维光子晶体的方法,利用全息干涉形成一维光子晶体掩模,通过离子束刻蚀或反应离子束刻蚀把掩模转移到硅基底材料上的SiO<sub>2</sub>层上,在刻蚀过的沟槽里填入高折射率材料,用离子束刻蚀法抛光表面,接着再沉积上SiO<sub>2</sub>,涂布光刻胶、全息光刻、离子束刻蚀等形成第二层,重复以上步聚,层与层之间采用莫尔条纹法对准,最后使用酸洗法去除SiO<sub>2</sub>,获得所需的三维光子晶体。本发明充分利用了全息光刻的亚微米分辨率,可以制作大面积的三维光子晶体,之后可根据需要切割成小块,具有高效低成本的优势;同时,在干涉场中,通过改变两束相干光的波前,便于引入大面积、周期性的缺陷。

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