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专利号	2011101575962	专利名称	硅基纳米杂化材料的制备方法
专利类型	发明专利	国际分类	C09K11/88;B82Y30/00;B82Y20/00
申请人	苏州大学	申请地址	江苏省苏州市工业园区仁爱路199号
发明人	何耀	申请日期	2011-06-13
下证状态	未知	更新时间	2023-04-18 08:05:56
专利摘要	本发明公开了一种硅基纳米杂化材料的制备方法，以单晶硅纳米线、碱金属的碲氢化物、镉源化合物和含羧基的水溶性巯基化合物为原料，制备得到硅基纳米杂化材料。本发明采用微波辐射的方法，将所述水溶性巯基化合物中的C＝O键与单晶硅纳米线表面的Si-H键结合，并且将所述晶核中的Cd2+与所述水溶性巯基化合物中的巯基通过S-Cd键结合，从而得到晶核修饰的硅纳米线，晶核生长后得到硅基纳米杂化材料。由于CdTe量子点具有强发光特性，因此本发明制备的硅基纳米杂化材料具有较高的荧光强度。实验结果表明，本发明制备的量子点修饰的硅纳米线的发光效率为10～35％，量子点直径为50纳米。

买卖双方需提供			平台提供	转让后买方可获得
	企业	个人	专利代理委托书专利权转让协议办理文件副本请求书发明人变更声明	专利证书手续合格通知书专利登记簿副本
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卖方	企业营业执照专利证书原件	身份证专利证书原件