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金属纳米粒子修饰的图形化衬底LED的制备方法
院校-
发明专利
专利类型 -
未知
专利状态 -
201810415268X
专利号
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专利信息
数据仅供参考，具体信息可联系在线顾问
| 专利号 | 201810415268X | 专利名称 | 金属纳米粒子修饰的图形化衬底LED的制备方法 |
|---|---|---|---|
| 专利类型 | 发明专利 | 国际分类 | H01L33/10;B82Y30/00;H01L33/20;H01L33/00;H01L33/12 |
| 申请人 | 五邑大学 | 申请地址 | 广东省江门市蓬江区东成村22号 |
| 发明人 | 杨为家;何鑫;王诺媛;刘俊杰;刘铭全;刘艳怡;蒋庭辉;江嘉怡;刘均炎 | 申请日期 | 2018-05-03 |
| 下证状态 | 未知 | 更新时间 | 2023-03-01 10:15:04 |
| 专利摘要 | 本发明公开了一种金属纳米粒子修饰的图形化衬底LED的制备方法，包括以下步骤：1)在图形化衬底上形成一层金属薄膜，快速升温至750‑1200℃，退火1‑10min，即可在图形化衬底上形成金属纳米粒子；2)转移至MOCVD生长室中，生长缓冲层；3)生长u型GaN、n型GaN、InGaN/GaN量子阱、AlGaN电子阻挡层和p型GaN，即可获得金属纳米粒子修饰的图形化衬底LED。本发明利用金属纳米粒子作为掩膜，提高缓冲层的横向外延过生长，降低位错密度，达到提高磊晶的效果；使用金属纳米粒子，有利于减小缓冲层的厚度；Au或Ag纳米粒子对光具有较好的反射特性，将有源层发出来的光和LED表面反射回来的光发射出去，提高了LED器件的出光效率。 | ||
交易流程
转让材料
| 买卖双方需提供 | 平台提供 | 转让后买方可获得 | ||
|---|---|---|---|---|
| 企业 | 个人 | 专利代理委托书 专利权转让协议 办理文件副本请求书 发明人变更声明 | 专利证书 手续合格通知书 专利登记簿副本 | |
| 买方 | 企业营业执照 企业组织机构代码证 | 身份证 | ||
| 卖方 | 企业营业执照 专利证书原件 | 身份证 专利证书原件 | ||
服务保障
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