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专利号	2018114870770	专利名称	一种晶须增强多孔ZnO薄膜的制备方法
专利类型	发明专利	国际分类	C04B35/81;G01N27/00;B01J23/06;B01J35/06
申请人	五邑大学	申请地址	广东省江门市蓬江区东成村22号
发明人	杨为家;沈耿哲;刘志豪;陈柏桦;刘俊杰;刘铭全;何鑫	申请日期	2018-12-06
下证状态	未知	更新时间	2023-03-01 10:14:52
专利摘要	本发明提供一种晶须增强多孔ZnO薄膜的制备方法，本发明以以醋酸锌为原料，以氯化锌和聚乙二醇为造孔剂，乙醇为溶剂，通过制备前驱体溶液和前驱体薄膜、以及高温烧结制备得到晶须增强多孔ZnO薄膜，该薄膜表面布满了各式各样的孔洞，且分布有很多凸起的晶须，具有良好的光催化降解性能；并且适用范围广，可以硅片、金属、导电玻璃等多种衬底上制备晶须增强多孔ZnO薄膜；制备设备成熟，工艺简单，成本有望降低5％；本发明制备晶须增强多孔ZnO薄膜，晶须是单晶ZnO纳米柱，具有优异的性能，适用范围广，有望在气敏探测器和光催化降解等领域发挥积极作用。

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