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专利号	2018113310822	专利名称	一种快速生长SnO纳米片的方法
专利类型	发明专利	国际分类	B82Y40/00;C01G19/02;B82Y30/00
申请人	五邑大学	申请地址	广东省江门市蓬江区东成村22号
发明人	杨为家;刘铭全;刘俊杰;何鑫;张弛	申请日期	2018-11-09
下证状态	未知	更新时间	2023-03-01 10:14:51
专利摘要	本发明涉及一种快速生长SnO2纳米片的方法，包括以下步骤：S1)、生长溶液的制备，S2)、SnO2纳米片的生长，将制备好的生长溶液和干净的ITO衬底放入高压釜当中，在160‑250℃下保温0.5‑4h；S3)、样品清洗，采用去离子水超声波清洗样品3‑5次，去除残留的试剂；本发明生长周期短，且纳米片的均一性好，可以提升SnO2纳米材料的灵敏度；制备工艺简单，制备成本低，且性能稳定，并且制备的SnO2纳米片具有较好的光催化降解功能；本发明制备SnO2纳米片分布较为规则，有利益增大纳米材料的比表面积；本发明制备SnO2纳米片在锂离子电池、传感器、光催化等领域具有良好的应用前景。

买卖双方需提供			平台提供	转让后买方可获得
	企业	个人	专利代理委托书专利权转让协议办理文件副本请求书发明人变更声明	专利证书手续合格通知书专利登记簿副本
买方	企业营业执照企业组织机构代码证	身份证
卖方	企业营业执照专利证书原件	身份证专利证书原件