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一种高致密银基钨掺杂二氧化钒复合材料的制备方法

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专利号 2019105376682 专利名称 一种高致密银基钨掺杂二氧化钒复合材料的制备方法
专利类型 发明专利 国际分类 C22C1/05;C22C32/00;C22C5/06
申请人 西安理工大学 申请地址 陕西省西安市碑林区金花南路5号
发明人 邹军涛;石林;徐健智;陈玉莹;任盈颖;石浩 申请日期 2019-06-20
下证状态 未知 更新时间 2023-03-01 10:09:24
专利摘要 本发明公开了一种高致密银基钨掺杂二氧化钒复合材料的制备方法,具体步骤包括:首先制备V0.97W0.0302粉体;然后采用双V型混粉技术将制备的V0.97W0.0302粉体与银粉混合均匀,然后冷压,得到混合粉体;最后将得到的混合粉体采用气氛保护热压烧结,得到高致密度Ag/V0.97W0.0302复合材料,本发明的制备方法,使银在熔融状态下与功能相V0.97W0.0302发生扩散和结合,既保持了银高电导率的特性,又保持了V0.97W0.0302在0℃发生相变的特性,使得制备的高致密度Ag/V0.97W0.0302复合材料相较于现有的Cu/V0.97W0.0302复合材料,各温度下电导率更高,应用范围更广泛,以满足某些行业的特殊需求。

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