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一种开放体系SiC纳米线的制备方法

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专利号 2017105509308 专利名称 一种开放体系SiC纳米线的制备方法
专利类型 发明专利 国际分类 C01B32/984;B82Y40/00;B82Y30/00
申请人 浙江理工大学 申请地址 浙江省杭州市江干经济开发区2号大街928号
发明人 陈建军;欧国松;丁丽娟;曾凡;姜敏;孔文龙 申请日期 2017-07-07
下证状态 未知 更新时间 2023-06-10 08:43:30
专利摘要 本发明公开了一种开放体系SiC纳米线的制备方法。将盛有金属硅粉的石英坩埚放入管式炉中间区域,并在管式炉的低温段铺设石墨纸;根据反应所需要的温度来设定管式炉的升温程序,根据液态碳源注射量的多少来设定反应保温时间;当温度达到反应所需要的温度时,开启液态碳源的数字注射泵,将碳源注入管式炉内,液态碳源通过高温裂解气化得到碳源,再通过氩气输送至管式炉反应段进行碳热还原反应;待液态碳源注射结束后,开始启动降温程序降至常温,在石墨纸上沉积有SiC纳米线。本发明首次采用乙醇或丙醇为碳源,硅粉为硅源,在开放体系中制备SiC纳米线。相比于背景技术,具有低能源消耗,工艺简单,无需催化剂和连续制备等优点。

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