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专利号	2012102313938	专利名称	以可膨胀石墨为碳源SiC纳米线的制备方法
专利类型	发明专利	国际分类	B82Y30/00;C01B31/36
申请人	浙江理工大学	申请地址	浙江省杭州市江干经济开发区白杨街道2号大街5号
发明人	陈建军;张炬栋;王明明	申请日期	2012-07-05
下证状态	未知	更新时间	2023-06-10 08:43:28
专利摘要	本发明公开了一种以可膨胀石墨为碳源SiC纳米线的制备方法。采用可膨胀石墨为碳源，硅粉和二氧化硅粉为硅源；或采用正硅酸乙酯为硅源，将正硅酸乙酯溶解于无水乙醇中，加入草酸以加速正硅酸乙酯水解再干爆燥后；将碳源和硅源混合并研磨均匀置于石墨坩埚中并放入高温气氛箱式炉内，抽真空并充入保护气体；升温到1300～1800℃，保温烧结2～8h，整个制备过程中炉内压强低于1MPa；随炉自然冷却至常温，开炉即得SiC纳米线。本发明原料廉价、工艺简单、无污染环境的有害气体、不需任何催化剂，拥有大规模高产率制备的特点，适合SiC纳米线的工业化生产。

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