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一种CuO/GaOOH纳米核壳pn结光电探测器及其制备方法

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专利号 2017109612878 专利名称 一种CuO/GaOOH纳米核壳pn结光电探测器及其制备方法
专利类型 发明专利 国际分类 B82Y30/00;H01L51/48;B82Y40/00;H01L51/46;H01L51/42
申请人 浙江理工大学 申请地址 浙江省杭州市经济技术开发区白杨街道2号大街928号
发明人 赵海林;李小云;陈凯;樊寅翔;陈露;魏亚菊;王顺利;郭道友;李培刚 申请日期 2017-10-16
下证状态 未知 更新时间 2023-06-10 08:40:27
专利摘要 本发明属于光电探测器领域,具体涉及一种Cu2O/GaOOH纳米核壳pn结光电探测器及其制备方法,包括Ag电极、Cu2O纳米晶、GaOOH纳米柱阵列、Ga2O3籽晶层和FTO导电玻璃,所述Ga2O3籽晶层位于FTO导电玻璃上,所述Cu2O/GaOOH纳米柱阵列位于Ga2O3籽晶层上,Cu2O/GaOOH纳米柱由GaOOH纳米柱和Cu2O纳米晶构成,所述GaOOH纳米柱阵列位于Ga2O3籽晶层上,所述Cu2O纳米晶包裹于GaOOH纳米柱外周围。本发明制备的Cu2O/GaOOH纳米核壳pn结具有大的比表面积,对光吸收强,能实现宽光谱探测,为构建高性能的光电探测器提供一种行之有效的方法,且该制备方法操作简单、成本便宜、重复性好,在未来的光电领域一定有巨大的应用前景。

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