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一种氧化镉基透光波段可调的导电薄膜制备方法

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专利号 2013100516843 专利名称 一种氧化镉基透光波段可调的导电薄膜制备方法
专利类型 发明专利 国际分类 H01L31/18;H01L21/203
申请人 淮阴师范学院 申请地址 江苏省淮安市淮阴区长江西路111号
发明人 陈贵宾;翟章印;贾建明;于海春;华正和;赵金刚 申请日期 2013-02-17
下证状态 未知 更新时间 2022-09-19 11:45:46
专利摘要 本发明提供了一种氧化镉(CdO)基透光波段可调的导电薄膜制备方法。该方法的核心技术是导电薄膜的透光波段与导电薄膜中铟(In)组分的含量相关,In组分含量的变化与磁控溅射靶材、溅射功率,与靶材和基片之间的距离相关,导电薄膜厚度与薄膜沉积时间长短相关。该方法以双面抛光玻璃基片为衬底,将两种靶材的溅射参数调至设计数值,进行溅射沉积:测量获得透明导电薄膜中In的含量。本发明所制备的不同铟(In)含量的氧化镉(CdO)基透明导电薄膜,可供不同半导体材料体系太阳能电池选用,使光谱响应范围内的太阳光更多地射入太阳能电池半导体结构中,从而可最大限度地提高太阳能电池的光利用效率,在太阳能电池、光电探测等光电功能材料和器件领域中具有良好的应用前景。

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