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掺钴非晶碳膜/硅光伏器件及其制备方法

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专利号 2014101626031 专利名称 掺钴非晶碳膜/硅光伏器件及其制备方法
专利类型 发明专利 国际分类 H01L31/04;H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/20
申请人 淮阴师范学院 申请地址 江苏省淮安市淮阴区长江西路111号
发明人 翟章印;姜煜丞;陈贵宾 申请日期 2014-04-22
下证状态 未知 更新时间 2022-09-19 11:45:45
专利摘要 本发明提供一种掺钴非晶碳膜/硅光伏器件及其制备方法。该方法以N型硅(n-Si)基片作为衬底,衬底上表面预设两片区域,在其中一片区域,采用脉冲激光沉积方法制备钴掺杂的非晶碳(a-C:Co)膜,然后采用真空热蒸发方法在该碳膜上蒸镀(Ag)层;在另一片区域,直接用真空热蒸发方法将Ag层蒸镀于该区域的n-Si基片上,制备得本器件。经测试,本器件显示出良好的光伏特性,室温下最好,当温度在270K(-3℃)以上时,温度对光伏效应的影响很小,具有受环境温度影响小,工作稳定度高的优点。本器件还易于回收重复利用;其非晶碳膜的抗腐蚀及耐磨损性能好,可与建筑物表面材料结合,大大节省安装空间;且取用材料价格低廉、制备工艺简洁,无污染物产生,有利于环境保护。

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