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离子注入制备高性能碲镉汞p-n结的方法
院校 科研院所-
发明专利
专利类型 -
未知
专利状态 -
200810194786X
专利号
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专利信息
数据仅供参考，具体信息可联系在线顾问
| 专利号 | 200810194786X | 专利名称 | 离子注入制备高性能碲镉汞p-n结的方法 |
|---|---|---|---|
| 专利类型 | 发明专利 | 国际分类 | H01L31/18;H01L21/426;H01L21/04 |
| 申请人 | 中国科学院上海技术物理研究所,淮阴师范学院 | 申请地址 | 江苏省淮安市清河区交通路71号 |
| 发明人 | 陈贵宾;陆卫;王少伟;李志锋;陈效双 | 申请日期 | 2008-10-20 |
| 下证状态 | 未知 | 更新时间 | 2022-09-19 11:45:45 |
| 专利摘要 | 本发明涉及离子注入制备高性能碲镉汞p-n结的方法。该方法采用同一块碲镉汞薄膜为基底；制作多块掩膜板；并蒸镀ZnS薄膜作为离子注入的阻挡层；在阻挡层上光刻出相应的离子注入区进行注入；再完成p-n结的成结工艺。其中，离子注入的阻挡层是通过多次叠加蒸镀获得的不同厚度ZnS薄膜阻挡层；离子注入的剂量为优化后的同一离子剂量、同一注入能量值。本发明在同一基底材料上获得叠加蒸镀具有不同厚度阻挡层的系列试验单元，一次性地以优化后的离子注入剂量对光刻出注入区进行离子注入的工艺改进，制备高性能碲镉汞p-n结，为光伏型红外探测器提供更方便快捷的优化工艺参数试验研究，试验成本低、且节省时间和精力；该方法同样可推广应用于对其它基底材料体系的离子注入阻挡层厚度的优化研究。 | ||
交易流程
转让材料
| 买卖双方需提供 | 平台提供 | 转让后买方可获得 | ||
|---|---|---|---|---|
| 企业 | 个人 | 专利代理委托书 专利权转让协议 办理文件副本请求书 发明人变更声明 | 专利证书 手续合格通知书 专利登记簿副本 | |
| 买方 | 企业营业执照 企业组织机构代码证 | 身份证 | ||
| 卖方 | 企业营业执照 专利证书原件 | 身份证 专利证书原件 | ||
服务保障
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