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一种横向纳米腔阵列结构SERS基底及其制备方法

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专利号 2019102655602 专利名称 一种横向纳米腔阵列结构SERS基底及其制备方法
专利类型 发明专利 国际分类 G01N21/65
申请人 杭州电子科技大学 申请地址 浙江省杭州市江干区下沙高教园区
发明人 张永军;温嘉红;王雅新;赵晓宇;陈雷;高稔现 申请日期 2019-04-03
下证状态 未知 更新时间 2023-06-14 08:25:30
专利摘要 本发明属于纳米复合材料技术领域,尤其涉及一种横向纳米腔阵列结构SERS基底,由内部设有一个中空腔体的半开放空心微球构成,其在水平方向上设置有一个横向开孔,所述的半开放空心微球其内层为表面修饰了4‑MBA探针分子的TiO2薄膜,在TiO2薄膜外部还镀有一层贵金属薄膜。其通过结合模板法制备而成,以等离子体清洗的聚苯乙烯小球阵列为支撑,将TiO2和贵金属经倾角磁控溅射的手段获得。本发明克服了现有技术中的SERS基底无法有效构建出电场强度相同而电流密度不同电学环境的缺陷,通过本发明可构建电场强度相同但电流密度不同电学环境,以此可用于研究等离子体诱导的电荷转移机制以及SERS物理增强与化学增强的中间态理论。

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