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微晶硅薄膜生长过程的可视化观测系统及测量方法

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专利号 2014103590918 专利名称 微晶硅薄膜生长过程的可视化观测系统及测量方法
专利类型 发明专利 国际分类 G01N21/21;G01B11/06
申请人 南京信息工程大学 申请地址 江苏省南京市宁六路219号
发明人 刘卿卿;李冉 申请日期 2014-07-25
下证状态 未知 更新时间 2023-06-27 08:42:17
专利摘要 本发明公开了一种为实时观测微晶硅薄膜生长设计的可视化观测系统及测量方法,有效地改善了传统偏振光显微镜进行观测时分辨率较低的缺陷。一种微晶硅薄膜生长过程的可视化观测系统,包括光源、针孔、起偏器、1/4波片、汇聚透镜、分光棱镜、垂直物镜、样品、载物台、检偏器、CCD相机、计算机。本发明有效地改善了传统薄膜厚度检测方法所面临的扫描问题,实现了薄膜的连续动态检测,提高了检测的效率和精度,分辨率高。此外,本发明提供的观测系统结构简单,方法简便易行,便于推广。

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