发明专利
专利类型未知
专利状态2013104127153
专利号专利号 | 2013104127153 | 专利名称 | 一种超疏水的金字塔-硅纳米线复合陷光结构及其制备方法 |
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专利类型 | 发明专利 | 国际分类 | H01L31/18;H01L31/055;B82Y40/00 |
申请人 | 北京工业大学 | 申请地址 | 北京市朝阳区平乐园100号 |
发明人 | 王波;李青柳;严辉;张铭;王如志;宋雪梅;侯育冬;朱满康;刘晶冰;汪浩 | 申请日期 | 2013-09-11 |
下证状态 | 未知 | 更新时间 | 2023-03-01 10:10:11 |
专利摘要 | 一种超疏水的金字塔-硅纳米线复合陷光结构及其制备方法,属于太阳能电池领域。硅片表面的清洁,利用碱性刻蚀在其表面制备金字塔结构,利用化学反应还原原理在硅片表面沉积非连续的贵金属颗粒,利用贵金属颗粒作为催化剂刻蚀制备硅纳米线进而获得金字塔-硅纳米线复合双结构,利用氟硅烷对复合结构表面进行化学修饰获得超疏水性能。在可见光范围内,其表面反射率降低到4%以下,且经过表面化学修饰后,表面接触角大于150°。 |
买卖双方需提供 | 平台提供 | 转让后买方可获得 | ||
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企业 | 个人 | 专利代理委托书 专利权转让协议 办理文件副本请求书 发明人变更声明 | 专利证书 手续合格通知书 专利登记簿副本 | |
买方 | 企业营业执照 企业组织机构代码证 | 身份证 | ||
卖方 | 企业营业执照 专利证书原件 | 身份证 专利证书原件 |
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