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含硅电解质包覆的高镍三元正极材料及其制备方法和电池

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专利号 2025100771587 专利名称 含硅电解质包覆的高镍三元正极材料及其制备方法和电池
专利类型 发明专利 国际分类 C01G 53/506 (2025.01),H01M 4/36 (2006.01),H01M 4/505 (2010.01),H01M 4/525 (2010.01),H01M 4/62 (2006.01),H01M 4/48 (2010.01),H01M 10/052 (2010.01),C01B 33/12 (2
申请人 四川轻化工大学 申请地址 四川省自贡市自流井区汇兴路519号
发明人 李建营,韩文静,雷英 申请日期 2025-01-17
下证状态 未知 更新时间 2026-09-20 17:15:06
专利摘要 本发明公开了含硅电解质包覆的高镍三元正极材料及其制备方法和电池,属于电池及电池材料技术领域,包括以下步骤:以NiSO<subgt;4</subgt;、CoSO<subgt;4</subgt;为原料,采用共沉淀法合成Ni<subgt;0.84</subgt;Co<subgt;0.16</subgt;(OH)<subgt;2</subgt;粉末;以Ni<subgt;0.84</subgt;Co<subgt;0.16</subgt;(OH)<subgt;2</subgt;粉末、MnSO<subgt;4</subgt;为原料,采用共沉淀法合成Ni<subgt;0.8</subgt;Co<subgt;0.15</subgt;Mn<subgt;0.05</subgt;(OH)<subgt;2</subgt;,记为NCM前驱体;使用正硅酸乙酯水解化合物包覆前驱体NCM,得到正硅酸乙酯水解化合物包覆后的NCM前驱体;将正硅酸乙酯水解化合物包覆后的NCM前驱体和LiOH·H<subgt;2</subgt;O研磨混合,高温烧结得到含硅电解质包覆的高镍三元正极材料。本发明使用正硅酸乙酯水合化合物对NCM进行包覆,显著提高了高镍三元正极材料的放电比容量、容量保持率和循环稳定性,制备得到了高性能的高镍三元正极材料。

交易流程

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企业组织机构代码证
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卖方 企业营业执照
专利证书原件
身份证
专利证书原件

服务保障

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