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一种低介低损钙铝硼硅基微晶玻璃材料及制备方法

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专利号 2022103919243 专利名称 一种低介低损钙铝硼硅基微晶玻璃材料及制备方法
专利类型 发明专利 国际分类 C03C10/02(2006.01),C03C6/04(2006.01),C03B19/06(2006.01)
申请人 申请地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
发明人 申请日期 2022-04-14
下证状态 未知 更新时间 2026-09-20 17:15:06
专利摘要 本发明属于电子陶瓷及其制造领域,涉及一种低介低损钙铝硼硅基微晶玻璃材料及其制备方法。本发明通过对钙硼硅基微晶玻璃材料的原料组分以及比例的重大幅度调整,最终以钙、铝、硼和硅为基料,辅以BaCO3、P2O5,并微量添加CeO2、La2O3和Na2CO3作为微量元素,通过将原料熔融、水淬、造粒等工艺,即可在850~950℃的低温下烧结获得低介(εr=4~5)、低损(Tanδ<0.0006)的微晶玻璃陶瓷材料。其具有高信号传输速度,大大降低了功耗;烧结温度低(850℃~950℃),能很好的和低电阻率的银电极共烧,适用于制造低温共烧多层陶瓷基板,满足LTCC的工艺条件要求,且性能更佳,为高速电路的需求提供了更好的选择。

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