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专利号	2020114200704	专利名称	基于II-VI族半导体一维纳米结构的存储器的制备方法
专利类型	发明专利	国际分类	H01L21/423(2006.01),H01L21/34(2006.01)
申请人		申请地址	215104 江苏省苏州市吴中区吴中大道1188号
发明人		申请日期	2020-12-08
下证状态	未知	更新时间	2026-09-19 17:17:27
专利摘要	本发明提供了基于II‑VI族半导体一维纳米结构的存储器的制备方法。该制备方法包括如下步骤：提供一基底；在所述基底上形成基于II‑VI族半导体的一维纳米结构；在所述一维纳米结构的两端形成第一金属电极层和第二金属电极层，以获得存储器坯料；对所述存储器坯料进行电子辐照处理，以获得存储器。本发明的方案获得了具有大存储窗口、高开关比等特性的基于II‑VI族半导体一维纳米结构的存储器，并且该制备方法省去了制备浮栅层、氧化物阻挡层以及隧穿层的工序，且该制备方法工艺简单。

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