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专利号	2022106572795	专利名称	一种半导体表面增强拉曼散射衬底
专利类型	发明专利	国际分类	G01N21/65(2006.01),B82Y15/00(2011.01)
申请人		申请地址	716000 陕西省延安市宝塔区圣地路580号
发明人		申请日期	2022-06-10
下证状态	未知	更新时间	2026-09-17 17:22:59
专利摘要	本发明涉及光谱技术领域，具体涉及一种半导体表面增强拉曼散射衬底，包括基底、半导体层、第一导体侧壁、第二导体侧壁、第一绝缘体侧壁、第二绝缘体侧壁；半导体层置于基底上，第一导体侧壁、第二导体侧壁、第一绝缘体侧壁、第二绝缘体侧壁置于半导体层上的四周并围成凹槽。半导体层产生热后，在溶液中产生热泳现象，调控了贵金属颗粒与半导体层之间的耦合，从而使得贵金属颗粒/半导体层复合结构的表面增强拉曼散射因子更高。在本发明中，溶液中的热泳现象可以通过半导体层的温度和形貌进行调控，还可以通过施加在第一导体侧壁和第二导体侧壁之间的电压调控，调控手段简单，调控方便，在表面增强拉曼散射应用领域具有良好的应用前景。

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