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专利号	202111234345X	专利名称	基于氮化硅光子晶体的氮化镓面发射激光器及制备方法
专利类型	发明专利	国际分类	H01S 5/11 (2021.01),H01S 5/343 (2006.01)
申请人	南京邮电大学	申请地址	江苏省南京市栖霞区文苑路9号
发明人	刘启发,周扬	申请日期	2021-10-22
下证状态	未知	更新时间	2026-09-19 17:17:27
专利摘要	本发明提供一种基于氮化硅光子晶体的氮化镓面发射激光器及制备方法，结构包括氮化硅光子晶体衬底层、n‑GaN层、n‑电极、InGaN/GaN成对组成的量子阱有源层、p‑GaN层、p‑AlGaN层、p‑GaN重掺杂层和p‑电极。本发明工艺上利用了薄膜转移工艺形成了让具有低损耗谐振的氮化硅的光子晶体层跟GaN的有源薄膜腔相结合的结构，从而实现创新性性能的蓝光波段的激光器。基于氮化硅材料的光子晶体，其生长制备更加简便，并且实现了高Q值，低损耗，同时其与氮化镓薄膜的结合能实现在光子晶体层和有源层光场的高效耦合，有利于高性能激光器的实现。

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