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专利号	2021114040273	专利名称	一种半导体材料及其制备方法
专利类型	发明专利	国际分类	C07C211/63(2006.01),C07C209/68(2006.01)
申请人		申请地址	212008江苏省镇江市丹徒区长晖路666号
发明人	王艳宁	申请日期	2021-11-24
下证状态	未知	更新时间	2026-09-17 17:22:59
专利摘要	本发明公开了一种半导体材料及其制备方法，该半导体材料的结构通式中R＝H,Br,Cl或F，即其分子式为C30H48Cl9N3Sb2、C30H45Br3Cl9N3Sb2、C30H45Cl12N3Sb2和C30H45Cl9F3N3Sb2，该半导体材料为晶体结构；该半导体材料的制备方法为将含Sb3+的可溶性化合物和BTAB衍生物混合采用溶液自然挥发溶剂自组装制得材料。本发明公开的半导体材料，热分解温度点相对较高，晶体颗粒均匀；同时其制备工艺简单、易操作、原料来源充足、生产成本低、产率高以及重复性好。

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	企业	个人	专利代理委托书专利权转让协议办理文件副本请求书发明人变更声明	专利证书手续合格通知书专利登记簿副本
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卖方	企业营业执照专利证书原件	身份证专利证书原件