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一种宽输入功率范围双频晶体管基整流器的设计方法
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发明专利
专利类型 -
未知
专利状态 -
2025104778744
专利号
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专利信息
数据仅供参考，具体信息可联系在线顾问
| 专利号 | 2025104778744 | 专利名称 | 一种宽输入功率范围双频晶体管基整流器的设计方法 |
|---|---|---|---|
| 专利类型 | 发明专利 | 国际分类 | G06F 30/36 (2020.01),H10D 30/47 (2025.01),G06N 3/126 (2023.01),G06N 3/006 (2023.01) |
| 申请人 | 杭州电子科技大学 | 申请地址 | 浙江省杭州市钱塘区白杨街道2号大街1158号 |
| 发明人 | 张志维,周登发,范珈源,王晨璐,张露玉,陈奂宇,凌瑞,张振华 | 申请日期 | 2025-04-16 |
| 下证状态 | 未知 | 更新时间 | 2026-09-21 17:45:09 |
| 专利摘要 | 本发明提供一种宽输入功率范围双频晶体管基整流器的设计方法。本发明在GaN晶体管基整流器的基础上考虑GaN晶体管输出电容的耗散功率，通过建立耗散功率和GaN晶体管输出电容之间的关系，得到整流效率和输出电容之间的关系式，在不同的输入功率下得到不同的输出阻抗，从而得到对应的输出阻抗设计空间；依据理论阻抗设计空间，使用分支传输线设计输出匹配网络和输入匹配网络。根据逆时二元性原理，在漏极和栅极之间加入相移网络来实现自同步整流器。设定整流器的射频输入信号和栅极输入信号在两个目标频率下相移，并依此完成相移网络的设计。通过基于差分进化策略的改进型多目标粒子群算法对输出匹配网络、输入匹配网络、相移网络进行优化，使得设计的整流器能在大输入功率宽动态范围内保持较高的效率，还可以提高设计的准确度和效率。 | ||
交易流程
转让材料
| 买卖双方需提供 | 平台提供 | 转让后买方可获得 | ||
|---|---|---|---|---|
| 企业 | 个人 | 专利代理委托书 专利权转让协议 办理文件副本请求书 发明人变更声明 | 专利证书 手续合格通知书 专利登记簿副本 | |
| 买方 | 企业营业执照 企业组织机构代码证 | 身份证 | ||
| 卖方 | 企业营业执照 专利证书原件 | 身份证 专利证书原件 | ||
服务保障
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