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一种自氧化生成核壳结构的高熵软磁材料及其制备方法

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专利号 2020111805512 专利名称 一种自氧化生成核壳结构的高熵软磁材料及其制备方法
专利类型 发明专利 国际分类 H01F 1/33 (2006.01),H01F 41/02 (2006.01)
申请人 南京工程学院 申请地址 江苏省南京市江宁科学园弘景大道1号
发明人 杨少锋,温佳楠,谢静宜,刘贤,黄桂香,林书弘,韩冰 申请日期 2020-10-29
下证状态 已下证 更新时间 2026-09-17 17:22:59
专利摘要 本发明公开了一种自氧化生成核壳结构的高熵软磁材料及其制备方法,以软磁纳米铁钴镍主元高熵合金为核、稀土铈自氧化的CeO<subgt;2</subgt;为壳,形成自氧化的CeO<subgt;2</subgt;包覆纳米高熵合金磁晶的粉体材料。制备方法包括设计出具有软磁性能的高熵合金体系,按照配比进行真空高能球磨制取微纳米的以铁钴镍为主元的磁性高熵合金粉体;采用稀土铈自氧化法制备氧化铈为壳、微纳米高熵合金为核的核壳结构磁性粉体。本发明获得的软磁性粉体材料具有较高的磁饱和电阻、较低的矫顽力,可以降低铁损。

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