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专利号	2018102192377	专利名称	一种含硅量子点多层膜及其制备方法
专利类型	发明专利	国际分类	H01L21/02(2006.01)
申请人	三峡大学	申请地址	443002湖北省宜昌市大学路8号
发明人	姜礼华	申请日期	2018-03-16
下证状态	已下证	更新时间	2026-09-05 17:03:17
专利摘要	本发明公开了一种含硅量子点多层膜及其制备方法，以硅烷、高纯甲烷和高纯氮气为反应气体，采用等离子体增强化学气相沉积技术在单晶硅基片表面沉积一层氢化碳氮硅薄膜；采用等离子体增强化学气相沉积技术在所制备的氢化碳氮硅薄膜表面制备非晶硅薄膜；重复上述步骤，制备周期性氢化碳氮硅薄膜/非晶硅多层膜，再在氩气氛围中对所制得的周期性多层膜进行热退火处理，硅量子点便在热退火处理过程中于碳氮硅薄膜内形成。通过多层膜和热退火的方式减小薄膜内应力和界面缺陷态，以碳、氮和氢元素钝化硅量子点表面断键和悬挂键，以非晶硅层和碳氮硅基质减小载流子在硅量子点间隧穿势垒，从而使含硅量子点的碳氮硅/非晶硅多层膜具有良好的光电特性。

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	企业	个人	专利代理委托书专利权转让协议办理文件副本请求书发明人变更声明	专利证书手续合格通知书专利登记簿副本
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