欢迎来到中细软旗下技术转移平台

服务热线：400-9696-518

节能环保新能源新材料高端制造生物产业数字创意

免费询价在线咨询

专利号	2021112230235	专利名称	一种钴掺杂磷化铜二维介孔纳米片阵列及其制备方法和应用
专利类型	发明专利	国际分类	C25B11/061(2021.01),C25B11/091(2021.01),C25B1/04(2021.01)
申请人	江西师范大学	申请地址	330000 江西省南昌市紫阳大道99号
发明人	杨勇	申请日期	2021-10-20
下证状态	已下证	更新时间	2026-10-23 17:43:47
专利摘要	本发明涉及纳米材料制备和应用领域，具体涉及一种钴掺杂磷化铜二维介孔纳米片阵列及其制备方法和应用。该纳米片阵列的制备方法简单，只需要水热反应结合后续磷化处理即可。该钴掺杂磷化铜二维介孔纳米片阵列包括泡沫镍基底和纳米片，所述纳米片以阵列形式近似垂直生长在泡沫镍基底上，纳米片的横向尺寸为0.5～2μm，厚度为5～20 nm；纳米片具有丰富的介孔，介孔的尺寸为2～5 nm。得益于其独特的二维介孔结构和均匀的钴元素掺杂，这种纳米片阵列在电催化HER、OER和全解水方面均具有优异的性能，优于目前报道的其它Cu3P基纳米材料。

买卖双方需提供			平台提供	转让后买方可获得
	企业	个人	专利代理委托书专利权转让协议办理文件副本请求书发明人变更声明	专利证书手续合格通知书专利登记簿副本
买方	企业营业执照企业组织机构代码证	身份证
卖方	企业营业执照专利证书原件	身份证专利证书原件