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一种基于石墨烯实现的二维半导体材料的结构设计

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专利号 2021109359217 专利名称 一种基于石墨烯实现的二维半导体材料的结构设计
专利类型 发明专利 国际分类 C
申请人 南通大学 申请地址 江苏省南通市啬园路9号
发明人 张诗俊,仲崇贵,耿晨铎,董正超 申请日期 2021-08-16
下证状态 已下证 更新时间 2026-10-23 17:43:47
专利摘要 本发明公开了一种基于石墨烯实现的二维半导体材料的结构设计,其设计方案包括:基材选取‑键合设计‑Fe原子插层结构设计‑应变,其中,氧化石墨烯实现铁电信息存储的简单结构,不仅维度低,尺度小,通过对设计的结构施加双轴应变调控能带结构得到需要的能隙,从而实现石墨烯在半导体领域的应用,本发明具有结构简单、操作方便,易于加工、能隙可控的特点,不仅可应用于光伏、能源、还适用于微电子器件,具有非常广的应用前景。

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