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专利号	2022111745597	专利名称	一种基于碳化硅纳米线的忆阻器及其制备方法
专利类型	发明专利	国际分类	H10N70/20(2023.01),B82Y40/00(2011.01)
申请人		申请地址	710021 陕西省西安市未央区大学园
发明人		申请日期	2022-09-26
下证状态	未知	更新时间	2026-09-23 17:33:30
专利摘要	本发明提供一种基于碳化硅纳米线的忆阻器及其制备方法，其自下至上依次包括底电极、碳化硅纳米线薄膜、PMMA薄膜和顶电极。制备方法包括：步骤1，在底电极的导电面上覆盖碳化硅纳米线薄膜；步骤2：在步骤1的碳化硅纳米线薄膜上涂覆PMMA溶液，将顶电极以导电面朝下压到PMMA溶液上，热压使PMMA凝固，获得忆阻器。通过简单快速的方法制备了两端结构的碳化硅纳米线忆阻器，可以很好的模拟大脑突触的基本功能，并且可以模拟更为复杂的树突神经的功能。

买卖双方需提供			平台提供	转让后买方可获得
	企业	个人	专利代理委托书专利权转让协议办理文件副本请求书发明人变更声明	专利证书手续合格通知书专利登记簿副本
买方	企业营业执照企业组织机构代码证	身份证
卖方	企业营业执照专利证书原件	身份证专利证书原件