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专利号	2021104944002	专利名称	一种应力可控的应力硅及其制备方法
专利类型	发明专利	国际分类	H01L21/8238(2006.01),H01L27/092(2006.01),H01L29/06(2006.01)
申请人	三明学院	申请地址	365000 福建省三明市三元区荆东路25号
发明人	崔积适	申请日期	2021-05-07
下证状态	已下证	更新时间	2026-09-23 17:33:30
专利摘要	一种应力可控的应力硅及其制备方法，涉及应力硅技术领域。制备方法包括：在硅波导区蚀刻形成非晶硅生长窗口，非晶硅生长窗口由硅波导区的上表面蚀刻形成；非晶硅生长窗口均呈矩形，且非晶硅生长窗口在硅波导区呈矩形阵列分布；在非晶硅生长窗口中沉积非晶硅，并在沉积的非晶硅表面覆盖二氧化硅层；以波长为488nm的光辐照非晶硅生长窗口使非晶硅生长窗口中的非晶硅的至少一部分转变为单晶硅。这样使制备得到的应力可控的应力硅提高了应力硅的载流子迁移率，提升了器件的工作频率，具有一阶电光效应，在硅中产生拉应力使硅的带隙减小，能够对C通信波段的信号光产生吸收。

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